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    PL光致發(fā)光光譜儀應(yīng)用
    更新時(shí)間:2017-06-28瀏覽:4373次

    InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測(cè)試

    ● 樣品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長(zhǎng)的 InGaNGaN 量子阱

    ● 測(cè)試條件:325nm激發(fā),功率30mW

    ● 光譜范圍:340-700nm

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